A Massachusettsi Műszaki Egyetem kutatói nanoméretű 3D tranzisztorokat fejlesztettek ki, amelyek hat nanométer széles függőleges vezetékkel rendelkeznek. Ezek a tranzisztorok a hagyományos szilícium alapú tranzisztoroknál kisebbek, és a kvantummechanikai tulajdonságokat kihasználva alacsony feszültségű működést és nagy teljesítményt érnek el. A VNFET-ek megkerülik a vízszintes tranzisztorok korlátait, minimalizálják a hőtermelést és az áramszivárgást, így ígéretes megoldást jelentenek a félvezetőipar számára, különösen a mesterséges intelligencia korában. Teljes cikk (hvg.hu)